RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī) CIF推出RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)，采用RIE反應(yīng)離子誘導(dǎo)激發(fā)方式，實現(xiàn)對材料表面各向異性的微結(jié)構(gòu)刻蝕。特別適合于大學(xué)，科研院所、微電子、半導(dǎo)體企業(yè)實驗室進(jìn)行介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低，性價比高，易維護(hù)，處理快速高效。適用于所有的基材及復(fù)雜的幾何構(gòu)形進(jìn)行RIE反應(yīng)離子刻蝕。 更新時間：2024-03-18 16:21:40 詳細(xì)信息 CIF 推出 RIE 反應(yīng)離子刻蝕機(jī)，采用 RIE 反應(yīng)離子誘導(dǎo)激發(fā)方式，實現(xiàn)對材料表面各向異性的微結(jié)構(gòu)刻蝕。特別適合于大學(xué)、科研院所，微電子、半導(dǎo)體企業(yè)實驗室進(jìn)行介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低，性價比高，易維護(hù)，處理快速高效。適用于所有的基材及復(fù)雜的幾何構(gòu)形進(jìn)行 RIE 反應(yīng)離子刻蝕。具體包括：◆ 介電材料（SiO2、SiNx 等）◆ 硅基材料（Si，a-Si，poly Si）◆ III-V 材料（GaAs、InP、GaN 等）◆ 濺射金屬（Au、Pt、Ti、Ta、W 等）◆ 類金剛石（DLC）應(yīng)用領(lǐng)域：主要用于微電子芯片、太陽能電池、生物芯片、顯示器、光學(xué)、通訊等領(lǐng)域的器件研發(fā)和制造。產(chǎn)品特點◆ 7 寸彩色觸摸屏中英文互動操作界面，自動控制監(jiān)測工藝參數(shù)狀態(tài)，20 個配方程序，工藝數(shù)據(jù)可存儲追溯。◆ PLC 工控機(jī)控制整個清洗過程，手動、自動兩種工作模式。◆ 真空艙體、全真空管路系統(tǒng)采用 316 不銹鋼材質(zhì)，耐腐蝕無污染。◆ 采用防腐數(shù)字流量計， 實現(xiàn)對氣體輸入精準(zhǔn)控制。標(biāo)配雙路氣體輸送系統(tǒng)， 可選多氣路氣體輸送系統(tǒng)， 可輸入氧氣、氬氣、 氮氣、四氟化碳、氫氣或混合氣等氣體。◆ 采用花灑式多孔進(jìn)氣方式，改變單孔進(jìn)氣不均勻問題。◆ HEPA 高效過濾，氣體返填吹掃，防止二次污染。◆ 符合人體功能學(xué)的 60 度傾角操作界面設(shè)計，操作方便，界面友好。◆ 采用頂置真空艙，上開蓋設(shè)計，下壓式鉸鏈開關(guān)方式。◆ 上置式 360 度水平取放樣品設(shè)計，符合人體功能學(xué)，操作更方便。◆ 有效處理面積大，可處理最大直徑 154mm 晶元硅片。◆ 安全保護(hù)，艙門打開，自動關(guān)閉電源，機(jī)器運行、停止提示。 技術(shù)參數(shù)型號RIE200RIE200plus艙體內(nèi)尺寸H38xΦ260mmH38xΦ260mm艙體容積2L2L射頻電源40KHz13.56MHz電極不銹鋼氣浴 RIE 電極， Φ200mm不銹鋼氣浴 RIE 電極， Φ200mm匹配器自動匹配自動匹配刻蝕方式RIERIE射頻功率0-600W 可調(diào)（可選 0-1000W）0-300W 可調(diào)（可選 0-600W）氣體控制質(zhì)量流量計（MFC）（標(biāo)配雙路，可選多路）流量范圍 0-500SCCM（可調(diào)）工藝氣體Ar、N ?、O ?、H ?、CF4、CF4+ H2、CHF3 或其他混合氣體等（可選）最大處理尺寸Φ154mm產(chǎn)品尺寸L520xW600xH420mm包裝尺寸L700xW580xH490mm時間設(shè)定9999 秒真空泵抽速約 8m3/h氣體穩(wěn)定時間1 分鐘極限真空=1Pa電源AC220V 50-60Hz，802（1202）502（802）W 所有配線符合《低壓配電設(shè)計規(guī)范GB50054-95》、《低壓配電裝置及線路設(shè)計規(guī)范》等國標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)相關(guān)規(guī)定。整機(jī)重量38kg 備注： 可選：1、冷卻循環(huán)水器：溫度控制范圍 -20-100℃; 2、分子泵：分子泵抽速 85L/s（N2）極限真空：LF<8*10-6Pa，CF<8*10-7Pa。 上一篇：沒有了 下一篇：沒有了
技術(shù)參數(shù)