濕法刻蝕專用系統(tǒng) CHEMIXX E 30 濕法刻蝕系統(tǒng)專門用于掩膜版與晶圓的刻蝕與清洗,安全性能好,可使用 H2SO4, H2O2,NH4OH,HF,BOE等液體。 更新時(shí)間:2022-11-25 17:32:29 詳細(xì)信息 n產(chǎn)品簡(jiǎn)介 CHEMIXX E 30 濕法刻蝕系統(tǒng)專門用于掩膜版與晶圓的刻蝕與清洗,安全性能好,可使用 H2SO4, H2O2,NH4OH,HF,BOE等液體。 n產(chǎn)品特色÷ 人工裝卸半自動(dòng)化系統(tǒng)÷ 掩膜版尺寸(方形襯底)高達(dá) 230 x 230 毫米/9 x 9 英寸÷ 晶圓尺寸高達(dá) 300 毫米(?12 英寸)÷ 耐腐蝕工藝室÷ 兩個(gè)自動(dòng)輸送臂,用于化學(xué)刻蝕及清洗÷ 輸送臂最大6路管路÷ 提供多種噴嘴÷ 低接觸或定制夾頭÷ 化學(xué)液具有加熱選項(xiàng):20 - 80°C÷ 腔室沖洗噴嘴系統(tǒng)÷ 去離子水的 BSR(背面沖洗)噴嘴÷ 工藝室外的手動(dòng)去離子水槍÷ 最大的集成3個(gè)化學(xué)試劑容器罐(每個(gè) 10 升),具有化學(xué)液自動(dòng)排放系統(tǒng)÷ 不同化學(xué)品的外部化學(xué)試劑容器罐可選(H2SO4、H2O2、NH4OH、HF、BOE)÷ 手動(dòng)灌裝或通過批量灌裝系統(tǒng)÷ 清洗模組可選用化學(xué)液,噪聲,PVA刷洗,高壓等離子水沖洗÷ 支持SCES/GEM 通訊協(xié)議 n技術(shù)數(shù)據(jù) ÷ 襯底尺寸: 最大可達(dá) 230 x 230 mm (9″x 9″) 或 ? 300mm (?12″)÷ 電機(jī)轉(zhuǎn)速: 最大 4.000 rpm, 步長(zhǎng) 1 rpm÷ 電機(jī)加速: 最大 5.000 rpm/s, 步長(zhǎng) 1 rpm/s÷ 步進(jìn)時(shí)間: 1 至 999.9 秒,步長(zhǎng) 0.1 s÷ 工藝腔材料: PP (可選 PVDF) 上一篇:CMP后雙面清洗機(jī) 下一篇:大尺寸濕法處理系統(tǒng)